Advanced Power AP4506GEH MOSFET de Potência Dual N&P-Canal 30V 9A/8A D-PAK SMD

Descrição técnica do produto (AP4506GEH):

Transistor N&P-MOSFET Dual AP4506GEH. Tipo de canal: N-P. Quantidade por encapsulamento: 2 unidades. Info1: Rds(on) N::0.024R P::0.036R. Info2: ID(AV)::N::9A P::8A. Info3: Vdss::N::30V P::-30V. Número de pinos: 4 unidades. Dissipação de potência (Pd): 3.1 W. ROHS: Sim. Montagem: Montagem em superfície (SMD). Tecnologia: N&P PowerTrench MOSFET. Encapsulamento: D-PAK (TO-252). Encapsulamento (de acordo com a folha de dados): TO-252-4L (DPAK) (SOT428). Temperatura de operação: -55...+150 °C.