Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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2SK3679

2SK3679
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2SK3679. C (pol.): 1100pF. Custo): 140pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 3.2us. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 36A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Marcação na caixa: K3679. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 95W. On-resistência Rds On: 1.22 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: POWER MOSFET Super FAP-G Series. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 17:25.

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FQPF9N90C

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C (pol.): 2100pF. Custo): 175pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diod...
FQPF9N90C
C (pol.): 2100pF. Custo): 175pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 32A. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 68W. On-resistência Rds On: 1.12 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 50 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Interruptor rápido, carga de portão baixa 40nC, Crss baixo 14pF . Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. Proteção GS: NINCS
FQPF9N90C
C (pol.): 2100pF. Custo): 175pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 32A. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 68W. On-resistência Rds On: 1.12 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 50 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Interruptor rápido, carga de portão baixa 40nC, Crss baixo 14pF . Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. Proteção GS: NINCS
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STP9NK90Z

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C (pol.): 2115pF. Custo): 190pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener ...
STP9NK90Z
C (pol.): 2115pF. Custo): 190pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 950 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: circuitos de comutação . Id(im): 32A. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P9NK90Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. On-resistência Rds On: 1.1 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 22 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: sim
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C (pol.): 2115pF. Custo): 190pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 950 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: circuitos de comutação . Id(im): 32A. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P9NK90Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. On-resistência Rds On: 1.1 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 22 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: sim
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STF9NK90Z

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C (pol.): 2115pF. Custo): 190pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 950 ns. Tipo de transistor: MO...
STF9NK90Z
C (pol.): 2115pF. Custo): 190pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 950 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: circuitos de comutação . Id(im): 32A. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: F9NK90Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. On-resistência Rds On: 1.1 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 22 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO220FP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim
STF9NK90Z
C (pol.): 2115pF. Custo): 190pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 950 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: circuitos de comutação . Id(im): 32A. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: F9NK90Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. On-resistência Rds On: 1.1 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 22 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO220FP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim
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C (pol.): 2115pF. Custo): 190pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener ...
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