Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

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2SK2850. C (pol.): 950pF. Custo): 140pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 900ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 24A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 200uA. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. On-resistência Rds On: 1.87 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 110 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: TT-MOSV. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Temperatura operacional: -...+150°. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 2.5V. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 16:25.

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