2N2369A

2N2369A. Resistor B: sim. BE diodo: transistor NPN . Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): TO-18. Custo): TO-18. Diodo CE: montagem através de furo PCB. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 500 MHz. Função: Transistor de comutação. Ganho máximo de hFE: 120. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 0.2A. Ic(pulso): 0.5A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.36W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 15 ns. Tf(min): 15 ns. Carcaça: TO-18 ( TO-206 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-18. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -60...+200°C. Vcbo: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 10:25.