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1N5381B

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1N5381B. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201. Tolerância: 5%. Tensão Zener: 130V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 19:25.