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Yangjie Electronic Technology
Yangjie Electronic Technology YJB110G10B MOSFET de Potência Canal N 100V 110A Rds(on) 0.0052 Ohm TO-
Referência do produto : YJB110G10B
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|---|---|---|
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| 100 – 799 | 1.52 € | -34% |
| 800+Melhor preço | 1.52 € | -34% |
Especificações técnicas
6 parâmetros| Parâmetro | Valor |
| Tipo | MOSFET |
| Tensão | 100 V |
| Corrente | 110.0 A |
| Invólucro | TO-263 |
| Resistência (RDSon) | 0.0052 Ohm |
Descrição técnica do produto (YJB110G10B):
O YJB110G10B é um MOSFET de alto desempenho fabricado pela Yangjie Electronic Technology. Este (YET) N-POWERFET possui 100V, 110A e um Rds(on) de 0.0052 Ohm, encapsulado em um invólucro TO-263 (D2PAK). É adequado para gerenciamento de energia, conversores DC-DC e aplicações de acionamento de motor.<br><br>