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Vishay
Vishay SI2307CDS-T1-GE3 MOSFET Canal P -30V 2.7A SOT-23
Referência do produto : SI2307CDS-T1-GE3
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Especificações técnicas
6 parâmetros| Parâmetro | Valor |
| Tipo | MOSFET |
| Tensão | -30 V |
| Corrente | 2.7 A |
| Encapsulamento | SOT-23 |
| Resistência (RDSon) | 0.088 Ohm |
Descrição técnica do produto (SI2307CDS-T1-GE3):
O SI2307CDS-T1-GE3 é um MOSFET de Canal P de alto desempenho fabricado pela Vishay. Este P-POWERFET apresenta -30V, 2.7A e uma RDSon de 0.088 Ohm num encapsulamento SOT-23. É adequado para gestão de energia, conversores DC-DC e aplicações de controlo de motor. Encapsulado num encapsulamento SOT-23.<br><br>