Transistor NPN NJW3281, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V

Transistor NPN NJW3281, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V

Quantidade
Preço unitário
1-4
7.73€
5-14
6.80€
15-29
6.14€
30-59
5.56€
60+
4.87€
Equivalência disponível
Quantidade em estoque: 30

Transistor NPN NJW3281, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. BE diodo: não. C (pol.): 9pF. Custo): 6pF. Data de produção: 201452 201512. Diodo CE: não. FT: 30 MHz. Função: amplificador de potência de áudio. Ganho máximo de hFE: 150. Ganho mínimo de hFE: 45. Ic(pulso): 30A. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) NJW1302. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 250V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 22:29

Documentação técnica (PDF)
NJW3281
27 parâmetros
Corrente do coletor
15A
Carcaça
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-3P
Tensão do coletor/emissor Vceo
250V
BE diodo
não
C (pol.)
9pF
Custo)
6pF
Data de produção
201452 201512
Diodo CE
não
FT
30 MHz
Função
amplificador de potência de áudio
Ganho máximo de hFE
150
Ganho mínimo de hFE
45
Ic(pulso)
30A
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
200W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
transistor complementar (par) NJW1302
Temperatura operacional
-65...+150°C
Tensão de saturação VCE(sat)
0.4V
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
250V
Vebo
5V
Produto original do fabricante
ON Semiconductor

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