Transistor NPN MJW3281AG, 15A, TO-247, TO-247, 230V

Transistor NPN MJW3281AG, 15A, TO-247, TO-247, 230V

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Transistor NPN MJW3281AG, 15A, TO-247, TO-247, 230V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 230V. BE diodo: não. Custo): 2.8pF. Data de produção: 201444 201513. Diodo CE: não. FT: 30 MHz. Função: Transistor de potência bipolar complementar. Ganho máximo de hFE: 200. Ganho mínimo de hFE: 50. Ic(pulso): 25A. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJW1302A. Tecnologia: Transistor bipolar de potência. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 230V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 18:37

Documentação técnica (PDF)
MJW3281AG
27 parâmetros
Corrente do coletor
15A
Carcaça
TO-247
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-247
Tensão do coletor/emissor Vceo
230V
BE diodo
não
Custo)
2.8pF
Data de produção
201444 201513
Diodo CE
não
FT
30 MHz
Função
Transistor de potência bipolar complementar
Ganho máximo de hFE
200
Ganho mínimo de hFE
50
Ic(pulso)
25A
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
200W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
transistor complementar (par) MJW1302A
Tecnologia
Transistor bipolar de potência
Temperatura operacional
-65...+150°C
Tensão de saturação VCE(sat)
0.4V
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
230V
Vebo
5V
Produto original do fabricante
ON Semiconductor

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