Transistor NPN MJE3055T, TO-220, 10A, 10A, TO-220AB, 60V. Carcaça: TO-220. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 10A. Corrente do coletor: 10A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: não. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Condicionamento: tubus. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente do coletor Ic [A]: 10A. Custo): 200pF. Diodo CE: não. Dissipação máxima Ptot [W]: 75W. FT: 2 MHz. Família de componentes: transistor de potência NPN. Frequência de corte ft [MHz]: 2 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 70. Ganho mínimo de hFE: 20. Marcação do fabricante: MJE3055T. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Polaridade: bipolar. Potência: 90W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJE2955T. Tecnologia: Base Epitaxial. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão (colecionador - emissor): 70V. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.1V. Tipo de transistor: NPN. Unidade de condicionamento: 50. Vcbo: 70V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:27