Transistor NPN MJE3055T-FAI, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V

Transistor NPN MJE3055T-FAI, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V

Quantidade
Preço unitário
1-4
0.95€
5-24
0.79€
25-49
0.69€
50-99
0.63€
100+
0.54€
Equivalência disponível
Quantidade em estoque: 46

Transistor NPN MJE3055T-FAI, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: não. Condicionamento: tubo de plástico. Diodo CE: não. FT: 2 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 70. Ganho mínimo de hFE: 20. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJE2955T. Tecnologia: Base Epitaxial. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.1V. Tipo de transistor: NPN. Unidade de condicionamento: 50. Vcbo: 70V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:27

MJE3055T-FAI
26 parâmetros
Corrente do coletor
10A
Carcaça
TO-220
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220AB
Tensão do coletor/emissor Vceo
60V
BE diodo
não
Condicionamento
tubo de plástico
Diodo CE
não
FT
2 MHz
Função
NF-L
Ganho máximo de hFE
70
Ganho mínimo de hFE
20
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
75W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
transistor complementar (par) MJE2955T
Tecnologia
Base Epitaxial
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão de saturação VCE(sat)
1.1V
Tipo de transistor
NPN
Unidade de condicionamento
50
Vcbo
70V
Vebo
5V
Produto original do fabricante
Fairchild

Produtos e/ou acessórios equivalentes para MJE3055T-FAI