| +294 rapidamente | |
| Quantidade em estoque: 74 |
Transistor NPN MJE210G, 5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 40V
Quantidade
Preço unitário
1-4
0.68€
5-24
0.59€
25-49
0.50€
50-99
0.43€
100+
0.33€
| Equivalência disponível | |
| Quantidade em estoque: 496 |
Transistor NPN MJE210G, 5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 40V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-225. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. BE diodo: não. Custo): 120pF. Diodo CE: não. FT: 65MHz. Função: -. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Pd (dissipação de energia, máx.): 15W. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) MJE200. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.8V. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 25V. Vebo: 8V. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:27
MJE210G
20 parâmetros
Corrente do coletor
5A
Carcaça
TO-126 (TO-225, SOT-32)
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-225
Tensão do coletor/emissor Vceo
40V
BE diodo
não
Custo)
120pF
Diodo CE
não
FT
65MHz
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Pd (dissipação de energia, máx.)
15W
Quantidade por caixa
1
Spec info
transistor complementar (par) MJE200
Temperatura operacional
-65...+150°C
Tensão de saturação VCE(sat)
0.3V
Tensão máxima de saturação VCE (sat)
1.8V
Tipo de transistor
PNP
Vcbo
25V
Vebo
8V
Produto original do fabricante
ON Semiconductor