Transistor NPN MJE253G, -100V, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 100V. Tensão coletor-emissor VCEO: -100V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-225. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. BE diodo: não. Custo): 200pF. Diodo CE: não. FT: 40 MHz. Frequência máxima: 40 MHz. Função: Comutação de alta velocidade, Áudio. Ganho máximo de hFE: 180. Ganho mínimo de hFE: 40. Ic(pulso): 8A. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 15W. Polaridade: PNP. Potência: 15W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJE243. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Vebo: 7V. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:27