Transistor NPN MJE15030G, 150V, 8A, TO-220, TO-220AB, 150V

Transistor NPN MJE15030G, 150V, 8A, TO-220, TO-220AB, 150V

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Transistor NPN MJE15030G, 150V, 8A, TO-220, TO-220AB, 150V. Tensão coletor-emissor VCEO: 150V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. BE diodo: não. Diodo CE: não. FT: 30 MHz. Frequência máxima: 30MHz. Função: para amplificador de áudio. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 20. Ic(pulso): 16A. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Polaridade: NPN. Potência: 50W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJE15031G. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 150V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 05:05

Documentação técnica (PDF)
MJE15030G
28 parâmetros
Tensão coletor-emissor VCEO
150V
Corrente do coletor
8A
Carcaça
TO-220
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220AB
Tensão do coletor/emissor Vceo
150V
BE diodo
não
Diodo CE
não
FT
30 MHz
Frequência máxima
30MHz
Função
para amplificador de áudio
Ganho máximo de hFE
40
Ganho mínimo de hFE
20
Ic(pulso)
16A
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
50W
Polaridade
NPN
Potência
50W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
transistor complementar (par) MJE15031G
Temperatura operacional
-65...+150°C
Tensão de saturação VCE(sat)
0.5V
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
150V
Vebo
5V
Produto original do fabricante
ON Semiconductor

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