Transistor NPN MJE15032G, 250V, TO-220, 8A, 8A, TO-220AB, 250V. Tensão coletor-emissor VCEO: 250V. Carcaça: TO-220. Corrente do coletor: 8A. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 8A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. BE diodo: não. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220. Colecionador DC/ganho de base hfe min.: 10. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente máxima 1: 8A. Custo): 4pF. Diodo CE: não. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W. FT: 30 MHz. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Frequência de corte ft [MHz]: 30 MHz. Frequência máxima: 30MHz. Função: para amplificador de áudio. Ganho máximo de hFE: 50. Ganho mínimo de hFE: 10. Ic(pulso): 16A. Informação: -. Largura de banda MHz: 30MHz. MSL: -. Marcação do fabricante: MJE15032G. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Polaridade: NPN. Potência: 50W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJE15033. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 250V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tipo de montagem: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Tipo: Potência. VCBO de tensão-base do coletor: 250V. Vcbo: 250V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 08:52