Transistor NPN KSB1366GTU, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V

Transistor NPN KSB1366GTU, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V

Quantidade
Preço unitário
1-4
1.85€
5-9
1.62€
10-24
1.44€
25-99
1.31€
100+
1.12€
Equivalência disponível
Quantidade em estoque: 73

Transistor NPN KSB1366GTU, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: não. Custo): 35pF. Diodo CE: não. FT: 9 MHz. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 150. Ic(pulso): -. Marcação na caixa: B1366-G. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) KSD2012. Tecnologia: Silicon PNP Triple Diffused Type. Temperatura operacional: -55°C a +150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Vebo: 7V. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 19:38

Documentação técnica (PDF)
KSB1366GTU
25 parâmetros
Corrente do coletor
3A
Carcaça
TO-220FP
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220
Tensão do coletor/emissor Vceo
60V
BE diodo
não
Custo)
35pF
Diodo CE
não
FT
9 MHz
Ganho máximo de hFE
320
Ganho mínimo de hFE
150
Marcação na caixa
B1366-G
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
25W
Quantidade por caixa
1
Spec info
transistor complementar (par) KSD2012
Tecnologia
Silicon PNP Triple Diffused Type
Temperatura operacional
-55°C a +150°C
Tensão de saturação VCE(sat)
0.4V
Tensão máxima de saturação VCE (sat)
1V
Tipo de transistor
PNP
Vcbo
60V
Vebo
7V
Produto original do fabricante
Fairchild

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