Transistor NPN 2SD2012, 3A, TO-220FP, 2-10R1A, 60V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): 2-10R1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: não. Custo): 35pF. Diodo CE: não. FT: 3 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): -. Marcação na caixa: D2012. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) 2SB1366. Tecnologia: Silicon NPN Triple Diffused Type. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 7V. Produto original do fabricante: Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 07:46