Transistor NPN BUL45GD2G, 5A, TO-220, TO220AB CASE 221A-09, 400V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO220AB CASE 221A-09. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. BE diodo: não. Custo): 50pF. Diodo CE: sim. FT: 13 MHz. Função: Transistor de potência NPN bipolar de alta velocidade e alto ganho. Ganho máximo de hFE: 34. Ganho mínimo de hFE: 22. Ic(pulso): 10A. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: Built-in Efficient Antisaturation Network. Tensão de saturação VCE(sat): 0.28V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.4V. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Vebo: 12V. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 08:57