Transistor NPN MJE18004, TO-220, 5A, TO-220AB, 450V

Transistor NPN MJE18004, TO-220, 5A, TO-220AB, 450V

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Transistor NPN MJE18004, TO-220, 5A, TO-220AB, 450V. Carcaça: TO-220. Corrente do coletor: 5A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. BE diodo: não. Condicionamento: tubus. Corrente do coletor Ic [A]: 5A. Custo): 2.5pF. Diodo CE: não. FT: 13 MHz. Frequência: 13MHz. Função: Aplicações de fonte de alimentação em modo de comutação. Ganhe hfe: 4...28. Ganho máximo de hFE: 34. Ganho mínimo de hFE: 12:1. Ic(pulso): 10A. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Polaridade: bipolar. Potência: 75W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão (colecionador - emissor): 450V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tf(min): 70us. Tf(máx.): 400us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Vebo: 9V. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:27

Documentação técnica (PDF)
MJE18004
33 parâmetros
Carcaça
TO-220
Corrente do coletor
5A
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220AB
Tensão do coletor/emissor Vceo
450V
BE diodo
não
Condicionamento
tubus
Corrente do coletor Ic [A]
5A
Custo)
2.5pF
Diodo CE
não
FT
13 MHz
Frequência
13MHz
Função
Aplicações de fonte de alimentação em modo de comutação
Ganhe hfe
4...28
Ganho máximo de hFE
34
Ganho mínimo de hFE
12:1
Ic(pulso)
10A
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
75W
Polaridade
bipolar
Potência
75W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Temperatura operacional
-65...+150°C
Tensão (colecionador - emissor)
450V
Tensão de saturação VCE(sat)
0.5V
Tf(min)
70us
Tf(máx.)
400us
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
1000V
Vebo
9V
Produto original do fabricante
ON Semiconductor

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