Transistor NPN 2SD882, TO-126 (TO-225, SOT-32), 3A, TO-126, 30 v

Transistor NPN 2SD882, TO-126 (TO-225, SOT-32), 3A, TO-126, 30 v

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Transistor NPN 2SD882, TO-126 (TO-225, SOT-32), 3A, TO-126, 30 v. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente do coletor: 3A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. BE diodo: não. Condicionamento: tubus. Corrente do coletor Ic [A]: 3A. Custo): 45pF. Diodo CE: não. FT: 90 MHz. Frequência: 90MHz. Função: -. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 60. Ic(pulso): 7A. Marcação na caixa: D882. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Polaridade: bipolar. Potência: 10W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) 2SB772. Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão (colecionador - emissor): 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: Inchange Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:24

Documentação técnica (PDF)
2SD882
31 parâmetros
Carcaça
TO-126 (TO-225, SOT-32)
Corrente do coletor
3A
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-126
Tensão do coletor/emissor Vceo
30 v
BE diodo
não
Condicionamento
tubus
Corrente do coletor Ic [A]
3A
Custo)
45pF
Diodo CE
não
FT
90 MHz
Frequência
90MHz
Ganho máximo de hFE
400
Ganho mínimo de hFE
60
Ic(pulso)
7A
Marcação na caixa
D882
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
10W
Polaridade
bipolar
Potência
10W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
transistor complementar (par) 2SB772
Temperatura operacional
-...+150°C
Tensão (colecionador - emissor)
40V
Tensão de saturação VCE(sat)
0.5V
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
40V
Vebo
5V
Produto original do fabricante
Inchange Semiconductor

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