Transistor NPN MJE243G, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32), 4mA, 4A, TO-225, 100V. Tensão coletor-emissor VCEO: 100V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4mA. Corrente do coletor: 4A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-225. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. BE diodo: não. Carcaça (padrão JEDEC): TO-225. Configuração: montagem através de furo PCB. Diodo CE: não. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.015W. FT: 40 MHz. Família de componentes: transistor de potência NPN. Frequência de corte ft [MHz]: 40 MHz. Frequência máxima: 40MHz. Função: Comutação de alta velocidade, Áudio. Ganho máximo de hFE: 180. Ganho mínimo de hFE: 40. Ic(pulso): 8A. Marcação do fabricante: MJE243G. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 15W. Polaridade: NPN. Potência: 15W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJE253. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Vebo: 7V. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:27