Transistor NPN 2SC5386, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V

Transistor NPN 2SC5386, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V

Quantidade
Preço unitário
1-4
4.62€
5-9
4.32€
10-29
4.07€
30-59
3.85€
60+
3.41€
Equivalência disponível
Quantidade em estoque: 17

Transistor NPN 2SC5386, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Condicionamento: tubo de plástico. FT: 1.7 MHz. Função: High Switching, Horizontal Deflection out. Ganho máximo de hFE: 35. Ganho mínimo de hFE: 4.3. Ic(pulso): 16A. Marcação na caixa: C5386. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: MONITOR Hi-res. Tecnologia: Tipo MESA Tripla Difusão. Temperatura: +150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Tf(min): 0.15us. Tf(máx.): 0.3us. Tipo de transistor: NPN. Unidade de condicionamento: 30. Vcbo: 1500V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 12:12

Documentação técnica (PDF)
2SC5386
28 parâmetros
Corrente do coletor
8A
Carcaça
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-3PF
Tensão do coletor/emissor Vceo
600V
Condicionamento
tubo de plástico
FT
1.7 MHz
Função
High Switching, Horizontal Deflection out
Ganho máximo de hFE
35
Ganho mínimo de hFE
4.3
Ic(pulso)
16A
Marcação na caixa
C5386
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
50W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
MONITOR Hi-res
Tecnologia
Tipo MESA Tripla Difusão
Temperatura
+150°C
Tensão de saturação VCE(sat)
3V
Tf(min)
0.15us
Tf(máx.)
0.3us
Tipo de transistor
NPN
Unidade de condicionamento
30
Vcbo
1500V
Vebo
5V
Produto original do fabricante
Toshiba

Produtos e/ou acessórios equivalentes para 2SC5386