Transistor NPN KSC5386TU, 7A, TO-3PF (SOT399), TO-3PF, 800V

Transistor NPN KSC5386TU, 7A, TO-3PF (SOT399), TO-3PF, 800V

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Transistor NPN KSC5386TU, 7A, TO-3PF (SOT399), TO-3PF, 800V. Corrente do coletor: 7A. Carcaça: TO-3PF (SOT399). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. BE diodo: não. Condicionamento: tubo de plástico. Diodo CE: sim. FT: kHz. Função: High Switching 0.1us. Ganho máximo de hFE: 22. Ganho mínimo de hFE: 8:1. Ic(pulso): 16A. Marcação na caixa: C5386. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Quantidade por caixa: 1. Resistor BE: 10. RoHS: sim. Spec info: VEBO 6V. Tecnologia: Transistor de silício planar triplo difuso. Temperatura: +150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 4.2V. Tf(min): 0.1us. Tf(máx.): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Unidade de condicionamento: 30. Vcbo: 1500V. Vebo: 6V. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:27

Documentação técnica (PDF)
KSC5386TU
30 parâmetros
Corrente do coletor
7A
Carcaça
TO-3PF (SOT399)
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-3PF
Tensão do coletor/emissor Vceo
800V
BE diodo
não
Condicionamento
tubo de plástico
Diodo CE
sim
FT
kHz
Função
High Switching 0.1us
Ganho máximo de hFE
22
Ganho mínimo de hFE
8:1
Ic(pulso)
16A
Marcação na caixa
C5386
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
50W
Quantidade por caixa
1
Resistor BE
10
RoHS
sim
Spec info
VEBO 6V
Tecnologia
Transistor de silício planar triplo difuso
Temperatura
+150°C
Tensão de saturação VCE(sat)
4.2V
Tf(min)
0.1us
Tf(máx.)
0.2us
Tipo de transistor
NPN
Unidade de condicionamento
30
Vcbo
1500V
Vebo
6V