Transistor NPN 2SA965, 0.8A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 120V

Transistor NPN 2SA965, 0.8A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 120V

Quantidade
Preço unitário
1-4
2.08€
5-9
1.91€
10-24
1.82€
25-49
1.71€
50+
1.58€
Equivalência disponível
Quantidade em estoque: 22

Transistor NPN 2SA965, 0.8A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 120V. Corrente do coletor: 0.8A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. BE diodo: não. Diodo CE: não. FT: 120 MHz. Função: Processo PCT. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 80. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) 2SC2235-Y. Tecnologia: Tipo Epitaxial. Temperatura: +150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 07:35

Documentação técnica (PDF)
2SA965
23 parâmetros
Corrente do coletor
0.8A
Carcaça
TO-92
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-92M ( 9mm )
Tensão do coletor/emissor Vceo
120V
BE diodo
não
Diodo CE
não
FT
120 MHz
Função
Processo PCT
Ganho máximo de hFE
240
Ganho mínimo de hFE
80
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
0.9W
Quantidade por caixa
1
Spec info
transistor complementar (par) 2SC2235-Y
Tecnologia
Tipo Epitaxial
Temperatura
+150°C
Tensão de saturação VCE(sat)
1V
Tipo de transistor
PNP
Vcbo
120V
Vebo
5V
Produto original do fabricante
Toshiba

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