Transistor NPN 2SB647, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 80V

Transistor NPN 2SB647, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 80V

Quantidade
Preço unitário
1-4
1.47€
5-24
1.24€
25-49
1.10€
50-99
1.02€
100+
0.89€
Equivalência disponível
Quantidade em estoque: 172

Transistor NPN 2SB647, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 80V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. BE diodo: não. Diodo CE: não. FT: 140 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 200. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 2A. Marcação na caixa: B647. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) 2SD667. Temperatura: +150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: Renesas Technology. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 03:51

Documentação técnica (PDF)
2SB647
25 parâmetros
Corrente do coletor
1A
Carcaça
TO-92
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-92M ( 9mm )
Tensão do coletor/emissor Vceo
80V
BE diodo
não
Diodo CE
não
FT
140 MHz
Função
uso geral
Ganho máximo de hFE
200
Ganho mínimo de hFE
100
Ic(pulso)
2A
Marcação na caixa
B647
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
0.9W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
transistor complementar (par) 2SD667
Temperatura
+150°C
Tensão de saturação VCE(sat)
1V
Tipo de transistor
PNP
Vcbo
120V
Vebo
5V
Produto original do fabricante
Renesas Technology

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