Transistor NPN 2N3019, TO-39 ( TO-205 ), 1A, 1A, TO-39, 80V

Transistor NPN 2N3019, TO-39 ( TO-205 ), 1A, 1A, TO-39, 80V

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1-4
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5-24
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Transistor NPN 2N3019, TO-39 ( TO-205 ), 1A, 1A, TO-39, 80V. Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. Corrente do coletor: 1A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-39. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. BE diodo: não. C (pol.): 60pF. Carcaça (padrão JEDEC): TO-39. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente do coletor Ic [A]: 1A. Custo): 12pF. Diodo CE: não. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.8W. FT: 100 MHz. Família de componentes: transistor NPN. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Frequência: 100MHz. Função: Comutação de alta velocidade. Ganho máximo de hFE: 100. Ganho mínimo de hFE: 50. Marcação do fabricante: 2N3019. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. Polaridade: bipolar. Potência: 800mW. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Temperatura máxima: +175°C.. Tensão (colecionador - emissor): 140V. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.2V. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 140V. Vebo: 7V. Produto original do fabricante: Cdil. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 01:37

Documentação técnica (PDF)
2N3019
37 parâmetros
Carcaça
TO-39 ( TO-205 )
Corrente do coletor Ic [A], máx.
1A
Corrente do coletor
1A
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-39
Tensão do coletor/emissor Vceo
80V
BE diodo
não
C (pol.)
60pF
Carcaça (padrão JEDEC)
TO-39
Configuração
montagem através de furo PCB
Corrente do coletor Ic [A]
1A
Custo)
12pF
Diodo CE
não
Dissipação máxima Ptot [W]
0.8W
FT
100 MHz
Família de componentes
transistor NPN
Frequência de corte ft [MHz]
100 MHz
Frequência
100MHz
Função
Comutação de alta velocidade
Ganho máximo de hFE
100
Ganho mínimo de hFE
50
Marcação do fabricante
2N3019
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
0.8W
Polaridade
bipolar
Potência
800mW
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Temperatura máxima
+175°C.
Tensão (colecionador - emissor)
140V
Tensão coletor-emissor Uceo [V]
80V
Tensão máxima de saturação VCE (sat)
0.2V
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
140V
Vebo
7V
Produto original do fabricante
Cdil

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