Transistor NPN 2N3019-ST, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 80V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-39. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Tecnologia: Transistor Epitaxial Planar. Temperatura: +175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 140V. Vebo: 7V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 01:37