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Transistor NPN, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 80V - 2N3019

Transistor NPN, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 80V - 2N3019
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Transistor NPN, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 80V - 2N3019. Transistor NPN, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 80V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-39. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. BE diodo: NINCS. C (pol.): 60pF. Custo): 12pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: Comutação de alta velocidade. Ganho máximo de hFE: 100. Ganho mínimo de hFE: 50. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 140V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.2V. Vebo: 7V. Quantidade em estoque atualizada em 31/07/2025, 13:25.

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Transistor NPN, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 80V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-39. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Número de terminais: 3. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Epitaxial Planar . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 140V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Vebo: 7V
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Transistor NPN, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 80V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-39. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Número de terminais: 3. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Epitaxial Planar . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 140V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Vebo: 7V
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