Transistor de canal P IRFU9024N, 11A, 250uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V

Transistor de canal P IRFU9024N, 11A, 250uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V

Quantidade
Preço unitário
1-4
0.86€
5-24
0.72€
25-49
0.55€
50+
0.48€
Equivalência disponível
Quantidade em estoque: 30

Transistor de canal P IRFU9024N, 11A, 250uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 250uA. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 350pF. Custo): 170pF. DI (T=100°C): 8A. Diodo Trr (mín.): 47 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 25uA. Id(im): 44A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. On-resistência Rds On: 0.175 Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 38W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 23 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 21:11

Documentação técnica (PDF)
IRFU9024N
29 parâmetros
DI (T=25°C)
11A
Idss (máx.)
250uA
Carcaça
TO-251 ( I-Pak )
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-251AA ( I-PAK )
Tensão Vds(máx.)
55V
C (pol.)
350pF
Custo)
170pF
DI (T=100°C)
8A
Diodo Trr (mín.)
47 ns
Função
Comutação de alta velocidade
IDss (min)
25uA
Id(im)
44A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
On-resistência Rds On
0.175 Ohms
Pd (dissipação de energia, máx.)
38W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
23 ns
Td(ligado)
15 ns
Tecnologia
HEXFET® Power MOSFET
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
P
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
International Rectifier

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