Transistor de canal P IRFR9024N, D-PAK ( TO-252 ), 11A, 250uA, TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

Transistor de canal P IRFR9024N, D-PAK ( TO-252 ), 11A, 250uA, TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

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Transistor de canal P IRFR9024N, D-PAK ( TO-252 ), 11A, 250uA, TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 250uA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 350pF. Cobrar: 12.7nC. Corrente de drenagem: -11A. Custo): 170pF. DI (T=100°C): 8A. Diodo Trr (mín.): 47 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 25uA. Id(im): 44A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 3. On-resistência Rds On: 0.175 Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 38W. Polaridade: unipolar. Potência: 38W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Resistência térmica da habitação: 3.3K/W. RoHS: sim. Td(desligado): 23 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão da fonte de drenagem: -55V. Tensão de fonte de porta: 20V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 02:45

Documentação técnica (PDF)
IRFR9024N
37 parâmetros
Carcaça
D-PAK ( TO-252 )
DI (T=25°C)
11A
Idss (máx.)
250uA
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Tensão Vds(máx.)
55V
C (pol.)
350pF
Cobrar
12.7nC
Corrente de drenagem
-11A
Custo)
170pF
DI (T=100°C)
8A
Diodo Trr (mín.)
47 ns
Função
Comutação de alta velocidade
IDss (min)
25uA
Id(im)
44A
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
3
On-resistência Rds On
0.175 Ohms
Pd (dissipação de energia, máx.)
38W
Polaridade
unipolar
Potência
38W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
Resistência térmica da habitação
3.3K/W
RoHS
sim
Td(desligado)
23 ns
Td(ligado)
13 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão da fonte de drenagem
-55V
Tensão de fonte de porta
20V
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
P
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
International Rectifier

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