Transistor de canal P IRF9510PBF, TO-220, -100V, 4A, -100V, 4A, 500uA, TO-220AB, 100V. Carcaça: TO-220. Tensão da fonte de drenagem (Vds): -100V. Corrente máxima de drenagem: 4A. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -100V. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 500uA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 100V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 15 ns. C (pol.): 200pF. Capacitância Ciss Gate [pF]: 200pF. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -2.4A. Custo): 94pF. DI (T=100°C): 2.8A. Diodo Trr (mín.): 82 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 43W. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Função: Comutação de alta velocidade. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: -4A. IDss (min): 100uA. Id(im): 16A. Marcação do fabricante: IRF9510PBF. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 43W. Potência: 43W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 15 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: V-MOS. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:43