Transistor de canal P IRF9520N, 6.8A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=25°C): 6.8A. Idss (máx.): 250uA. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 350pF. Custo): 110pF. DI (T=100°C): 4.1A. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Função: Transistor MOSFET de canal P. IDss (min): 25uA. Id(im): 27A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. On-resistência Rds On: 0.48 Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 48W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 28 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:43