Transistor de canal N TK8A65D-STA4-Q-M, 10uA, 0.7 Ohms, TO-220FP, 2-10U1B, 650V

Transistor de canal N TK8A65D-STA4-Q-M, 10uA, 0.7 Ohms, TO-220FP, 2-10U1B, 650V

Quantidade
Preço unitário
1-4
4.92€
5-9
4.18€
10-24
3.92€
25-49
3.66€
50+
3.32€
Equivalência disponível
Quantidade em estoque: 75

Transistor de canal N TK8A65D-STA4-Q-M, 10uA, 0.7 Ohms, TO-220FP, 2-10U1B, 650V. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.7 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): 2-10U1B. Tensão Vds(máx.): 650V. C (pol.): 1350pF. Custo): 135pF. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). IDss (min): -. Id(im): 30Ap. Marcação na caixa: K8A65D. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 75 ns. Td(ligado): 60 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVII). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Produto original do fabricante: Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 19:08

TK8A65D-STA4-Q-M
25 parâmetros
Idss (máx.)
10uA
On-resistência Rds On
0.7 Ohms
Carcaça
TO-220FP
Habitação (conforme ficha técnica)
2-10U1B
Tensão Vds(máx.)
650V
C (pol.)
1350pF
Custo)
135pF
Função
Fontes de alimentação comutadas (SMPS)
Id(im)
30Ap
Marcação na caixa
K8A65D
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
45W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
75 ns
Td(ligado)
60 ns
Tecnologia
Field Effect (TT-MOSVII)
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Produto original do fabricante
Toshiba

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