Transistor de canal N STW13NK60Z, 600V, 0.48 Ohms, 8A, 13A, 50mA, TO-247, TO-247, 600V

Transistor de canal N STW13NK60Z, 600V, 0.48 Ohms, 8A, 13A, 50mA, TO-247, TO-247, 600V

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Transistor de canal N STW13NK60Z, 600V, 0.48 Ohms, 8A, 13A, 50mA, TO-247, TO-247, 600V. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 600V. On-resistência Rds On: 0.48 Ohms. DI (T=100°C): 8A. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 50mA. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 2030pF. Condicionamento: tubo de plástico. Corrente máxima de drenagem: 13A. Custo): 210pF. Diodo Trr (mín.): 570 ns. Função: HIGH Current, HIGH Speed Switching. IDss (min): 1mA. Id(im): 40A. Marcação na caixa: W13NK60Z. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. Potência: 150W. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: Capacidade dv/dt EXTREMAMENTE ALTA. Td(desligado): 61 ns. Td(ligado): 22 ns. Tecnologia: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 30. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 08:58

Documentação técnica (PDF)
STW13NK60Z
37 parâmetros
Tensão da fonte de drenagem (Vds)
600V
On-resistência Rds On
0.48 Ohms
DI (T=100°C)
8A
DI (T=25°C)
13A
Idss (máx.)
50mA
Carcaça
TO-247
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-247
Tensão Vds(máx.)
600V
C (pol.)
2030pF
Condicionamento
tubo de plástico
Corrente máxima de drenagem
13A
Custo)
210pF
Diodo Trr (mín.)
570 ns
Função
HIGH Current, HIGH Speed Switching
IDss (min)
1mA
Id(im)
40A
Marcação na caixa
W13NK60Z
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
160W
Potência
150W
Proteção GS
sim
Proteção contra fonte de drenagem
diodo Zener
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
Capacidade dv/dt EXTREMAMENTE ALTA
Td(desligado)
61 ns
Td(ligado)
22 ns
Tecnologia
Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Unidade de condicionamento
30
Vgs(th) máx.
4.5V
Vgs(th) mín.
3V
Produto original do fabricante
Stmicroelectronics

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