Transistor de canal N 2SK2699, 6A, 12A, 100uA, 0.50 Ohms, TO-3P ( TO3P ), TO-3P, 600V

Transistor de canal N 2SK2699, 6A, 12A, 100uA, 0.50 Ohms, TO-3P ( TO3P ), TO-3P, 600V

Quantidade
Preço unitário
1-4
4.57€
5-24
4.04€
25-49
3.65€
50+
3.30€
Equivalência disponível
Quantidade em estoque: 197

Transistor de canal N 2SK2699, 6A, 12A, 100uA, 0.50 Ohms, TO-3P ( TO3P ), TO-3P, 600V. DI (T=100°C): 6A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.50 Ohms. Carcaça: TO-3P ( TO3P ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 2600pF. Custo): 270pF. Diodo Trr (mín.): 460 ns. Função: Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive. Id(im): 48A. Marcação na caixa: K2699. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 65 ns. Td(ligado): 45 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo. Temperatura: +150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:31

Documentação técnica (PDF)
2SK2699
30 parâmetros
DI (T=100°C)
6A
DI (T=25°C)
12A
Idss (máx.)
100uA
On-resistência Rds On
0.50 Ohms
Carcaça
TO-3P ( TO3P )
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-3P
Tensão Vds(máx.)
600V
C (pol.)
2600pF
Custo)
270pF
Diodo Trr (mín.)
460 ns
Função
Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive
Id(im)
48A
Marcação na caixa
K2699
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
150W
Proteção GS
sim
Proteção contra fonte de drenagem
diodo
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
65 ns
Td(ligado)
45 ns
Tecnologia
Transistor de efeito de campo
Temperatura
+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
Toshiba

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