Transistor de canal N STW11NK90Z, 5.8A, 9.2A, 50uA, 0.82 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. DI (T=100°C): 5.8A. DI (T=25°C): 9.2A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 0.82 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 3000pF. Condicionamento: tubo de plástico. Custo): 240pF. Diodo Trr (mín.): 584 ns. Função: ZenerProtect. IDss (min): 1uA. Id(im): 36.8A. Marcação na caixa: W11NK90Z. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. Td(desligado): 76 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: SuperMesh PpwerMOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 30. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 08:58