Transistor de canal N STW11NK100Z, 5.2A, 8.3A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V. DI (T=100°C): 5.2A. DI (T=25°C): 8.3A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 1.1 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 1000V. C (pol.): 3500pF. Condicionamento: tubo de plástico. Custo): 270pF. Diodo Trr (mín.): 560 ns. Função: capacidade dv/dt extremamente alta, aplicações de comutação. IDss (min): 1uA. Id(im): 33.2A. Marcação na caixa: W11NK100Z. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 230W. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. Td(desligado): 98 ns. Td(ligado): 27 ns. Tecnologia: Zener - Protected SuperMESH™ PowerMOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 30. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 08:58