Transistor de canal N STP9NB60, 5.7A, 9A, 9A, 0.8 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 9A. On-resistência Rds On: 0.8 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. Função: Transistor N MOSFET. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Quantidade por caixa: 1. Tecnologia: PowerMesh. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 08:58