Transistor de canal N IRFB9N60A, 5.8A, 9.2A, 250uA, 0.75 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. DI (T=100°C): 5.8A. DI (T=25°C): 9.2A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.75 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1400pF. Custo): 180pF. Diodo Trr (mín.): 530 ns. Função: Dynamic dv/dt Rating. IDss (min): 25uA. Id(im): 37A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 170W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: Comutação de alta velocidade. Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:43