Transistor de canal N STP4NB80FP, 2.4A, 4A, 50uA, 3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V

Transistor de canal N STP4NB80FP, 2.4A, 4A, 50uA, 3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V

Quantidade
Preço unitário
1-4
1.91€
5-49
1.58€
50-99
1.41€
100+
1.24€
Equivalência disponível
Quantidade em estoque: 77

Transistor de canal N STP4NB80FP, 2.4A, 4A, 50uA, 3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. DI (T=100°C): 2.4A. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 3 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 700pF. Custo): 95pF. Diodo Trr (mín.): 600 ns. IDss (min): 1uA. Id(im): 16A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. Td(desligado): 12 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: PowerMESH MOSFET. Temperatura: +150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:24

Documentação técnica (PDF)
STP4NB80FP
28 parâmetros
DI (T=100°C)
2.4A
DI (T=25°C)
4A
Idss (máx.)
50uA
On-resistência Rds On
3 Ohms
Carcaça
TO-220FP
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220FP
Tensão Vds(máx.)
800V
C (pol.)
700pF
Custo)
95pF
Diodo Trr (mín.)
600 ns
IDss (min)
1uA
Id(im)
16A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
35W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
diodo Zener
Quantidade por caixa
1
Td(desligado)
12 ns
Td(ligado)
14 ns
Tecnologia
PowerMESH MOSFET
Temperatura
+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
5V
Vgs(th) mín.
3V
Produto original do fabricante
Stmicroelectronics

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