Transistor de canal N 2SK2645, 9A, 100nA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 600V. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 100nA. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F15. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 900pF. Custo): 150pF. Diodo Trr (mín.): 550 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 10nA. Id(im): 32A. Marcação na caixa: K2645. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 60 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: FAP-IIS Series MOS-FET. Temperatura operacional: -...+150°C. Temperatura: +150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3.5V. Produto original do fabricante: Fuji Electric. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:31