Transistor de canal N STP3NB80, 1.6A, 2.6A, 50uA, 4.6 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. DI (T=100°C): 1.6A. DI (T=25°C): 2.6A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 4.6 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 440pF. Custo): 60pF. Diodo Trr (mín.): 650 ns. Função: Transistor N MOSFET. IDss (min): 1uA. Id(im): 10.4A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Pd (dissipação de energia, máx.): 90W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Td(desligado): 15 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: PowerMESH™ MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:24