Transistor de canal N STP3NK80Z, 1.57A, 2.5A, 50uA, 3.8 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. DI (T=100°C): 1.57A. DI (T=25°C): 2.5A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 3.8 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 485pF. Custo): 57pF. Diodo Trr (mín.): 384 ns. Função: relação dv/dt muito alta, para aplicações de comutação. IDss (min): 1uA. Id(im): 10A. Marcação na caixa: P3NK80Z. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Td(desligado): 36ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: SuperMESH™ Power MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:24