Transistor de canal N STP3NA60, 1.8A, 2.9A, 2.9A, 4 Ohms, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 1.8A. DI (T=25°C): 2.9A. Idss (máx.): 2.9A. On-resistência Rds On: 4 Ohms. Carcaça: TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. Função: Transistor N MOSFET. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Quantidade por caixa: 1. Tecnologia: V-MOS. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:24