Transistor de canal N STP11NM60ND, 6.3A, 10A, 100uA, 0.37 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 6.3A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.37 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 850pF. Condicionamento: tubo de plástico. Custo): 44pF. Diodo Trr (mín.): 130 ns. Função: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. IDss (min): 1uA. Id(im): 40A. Marcação na caixa: 11NM60ND. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 90W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: MDmesh II POWER MOSFET. Temperatura operacional: -...+150°C. Temperatura: +150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 50. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:24