Transistor de canal N STP13NM60N, 6.93A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 6.93A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.28 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 790pF. Custo): 60pF. Diodo Trr (mín.): 290 ns. Função: Baixa capacitância de entrada e carga do portão. IDss (min): 1uA. Id(im): 44A. Marcação na caixa: 13NM60N. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 90W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: ID pulse 44A. Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 3 ns. Tecnologia: MDmesh™ II Power MOSFET. Temperatura: +150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:24