Transistor de canal N STF18NM60N, 8.2A, 13A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=100°C): 8.2A. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.26 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1000pF. Custo): 60pF. Diodo Trr (mín.): 300 ns. Função: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. IDss (min): 1uA. Id(im): 52A. Marcação na caixa: 18NM60. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: MDmesh™ II Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Temperatura: +150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 05:54