Transistor de canal N STP20NM60FP, 12.6A, 20A, 10uA, 0.025 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V

Transistor de canal N STP20NM60FP, 12.6A, 20A, 10uA, 0.025 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V

Quantidade
Preço unitário
1-4
6.95€
5-24
6.27€
25-49
5.81€
50-99
5.47€
100+
4.96€
Quantidade em estoque: 21

Transistor de canal N STP20NM60FP, 12.6A, 20A, 10uA, 0.025 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=100°C): 12.6A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.025 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1500pF. Custo): 350pF. Diodo Trr (mín.): 390 ns. Função: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. IDss (min): 1uA. Id(im): 80A. Marcação na caixa: P20NM60FP. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 6 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: MDmesh™ MOSFET. Temperatura: +150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:24

Documentação técnica (PDF)
STP20NM60FP
31 parâmetros
DI (T=100°C)
12.6A
DI (T=25°C)
20A
Idss (máx.)
10uA
On-resistência Rds On
0.025 Ohms
Carcaça
TO-220FP
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220FP
Tensão Vds(máx.)
600V
C (pol.)
1500pF
Custo)
350pF
Diodo Trr (mín.)
390 ns
Função
HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance
IDss (min)
1uA
Id(im)
80A
Marcação na caixa
P20NM60FP
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
45W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
6 ns
Td(ligado)
25 ns
Tecnologia
MDmesh™ MOSFET
Temperatura
+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
5V
Vgs(th) mín.
3V
Produto original do fabricante
Stmicroelectronics