Transistor de canal N STB12NM50N, 6.8A, 11A, 100uA, 0.29 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 550V. DI (T=100°C): 6.8A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.29 Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 550V. C (pol.): 940pF. Custo): 100pF. Diodo Trr (mín.): 340 ns. Função: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. IDss (min): 1uA. Id(im): 44A. Marcação na caixa: B12NM50N. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 60 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: MDmesh Power MOSFET. Temperatura: +150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 05:54