Transistor de canal N STB12NM50ND, 6.9A, 11A, 100uA, 0.29 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 550V. DI (T=100°C): 6.9A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.29 Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 550V. C (pol.): 850pF. Custo): 48pF. Diodo Trr (mín.): 122 ns. Função: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. IDss (min): 1uA. Id(im): 44A. Marcação na caixa: B12NM50ND. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: FDmesh™ II Power MOSFET (com diodo rápido). Td(desligado): 40 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: FDmesh™ II Power MOSFET. Temperatura: +150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 05:54